IGBT测量好坏

数字万用表测量（推荐）

1. 测 CE 体二极管（判断短路 / 开路）

档位：二极管档

红→C，黑→E：0.3～0.7V（正常导通）

红→E，黑→C：OL / 1（截止）

异常：

双向≈0V → CE 击穿短路

双向 OL → CE 开路 / 二极管坏

2. 测 GE、GC 绝缘（判断栅极击穿）

档位：20MΩ 电阻档

G-E、G-C 正反测：

正常：>1MΩ（通常几十 M～几百 M）

异常：<100kΩ → 栅极漏电 / 击穿

3. 触发导通测试（关键）

黑→C，红→E（电阻 ×10k 或高阻档），显示 OL

手指 同时碰 G 和 C（给栅极触发电压）

正常：阻值明显变小、指针 / 数字跳低并保持

再 短接 G-E（放电关断）

正常：回到 OL / 高阻

结论：能导通→保持→关断 → 基本完好

三、指针万用表（机械表）

档位：R×10kΩ（必须高压档才能触发）

黑→C，红→E：∞

手指碰 G+C → 导通（阻值变小）

短接 G+E → 回到 ∞

四、IGBT 模块（如七脚、两脚半桥）

上桥：黑→P(+)，红→输出 (U/V/W) → 0.3～0.4V

下桥：红→N(-)，黑→输出 → 0.3～0.4V

反测均为 OL

G-E、G-P、G-N 都应 高阻绝缘

五、常见故障判断

CE 双向导通（0Ω）：击穿短路（最常见）

GE/GC 低阻：栅极击穿

CE 正向压降偏大（>0.8V）：性能劣化

能触发但不能保持 / 关断：控制极失效

六、重要提醒

万用表只能静态好坏，不能测饱和压降、耐压、高频能力。

上机前最好带载 / 上驱动测试更可靠。

模块内含 NTC、栅极电阻 时，G-E 有几十欧属正常，以 datasheet 为准。